Poniżej skróty użyte w katalogu w przetłumaczeniu na język polski.
| amp | wzmacniacz |
| atten | tłumik |
| a | anoda |
| b | baza |
| c | katoda |
| ca | wspólna anoda |
| cc | wspólna katoda |
| comp | uzupełnienie |
| d | dren |
| dg | podwójna bramka |
| dtr | cyfrowy tranzystor |
| enh | wzbogacony (typ – FET´a) |
| fet | "field effect transistor" |
| fT | częstotliwość przejścia |
| GaAsfet | "Gallium Arsenide field effect transistor" |
| g | bramka |
| gnd | ziemia |
| gp | general purpose |
| hfe | Wzmocnienie dla małych sygnałów |
| i/p | wejście |
| Id | Prąd drenu |
| Ig | Prąd bramki |
| Ir | Wsteczny prąd (dot. diody) |
| jfet | złącze "field effect transistor" |
| MAG | maksymalny możliwy przyrost |
| max | maksimium |
| min | minimum |
| mmic | "microwave minature integrated circuit" |
| modamp | modułowy wzmacniacz |
| mosfet | "metal oxide insulated gate fet" |
| n-ch | FET z kanałem-n |
| npn | bipolarny tranzystor NPN |
| o/p | wyjście |
| p-ch | FET z kanałem-p |
| pin | wyprowadzenie diody |
| pkg | obudowa |
| pnp | bipolarny tranzystor PNP |
| prot | protekcja, ochrona |
| res | rezystor |
| s | źródło |
| ser | seria |
| Si | krzem |
| substr | podłoże |
| sw | przełącznik, przełączanie |
| Vce | Napięcie kolektor-emiter (maksymalne) |
| Vcc | Napięcie kolektora |
